联电进军氮化镓领域，汉磊扩产半导体

时间：2022-01-05 15:56 网址：www.zhanhome.com 编辑：会展之家

内容摘要：半导体：联电进军氮化镓领域，晶圆制造厂汉磊扩产第三代半导体联电投资联颖正式进军氮化镓，未来或将布局碳化硅领域。据Digitimes 报道，联电已通过投资联颖，切入第三代半导体领域，计划从6 寸氮化镓GaN 产品入手，展开布局碳化硅SiC，并向8 寸晶圆发展。...

半导体：联电进军氮化镓领域，晶圆制造厂汉磊扩产第三代半导体

　　联电投资联颖正式进军氮化镓，未来或将布局碳化硅领域。据Digitimes 报道，联电已通过投资联颖，切入第三代半导体领域，计划从6 寸氮化镓GaN 产品入手，展开布局碳化硅SiC，并向8 寸晶圆发展。联电表示，由于目前业内较少厂商能够提供GaN 整体解决方案，正在构建技术平台，由联电、联颖共同研发，聚焦电子、射频微波等应用，预计明年将导入IC 设计客户。同时，联颖有望成为联电第三代半导体的主要生产阵地。联颖此前主营业务便是6 寸晶圆，但长时间处于亏损状态，产能利用率也处于较低水平。但去年下半年以来，业绩好转，产能持续满载，明年产能有望较今年翻倍增长。另外，联电与有全球知名独立公共研发平台、半导体业内指标性研发机构之称的比利时微电子研究中心(IMEC)携手，开展第三代半导体研发。

　　汉磊加速布建产能，或将进入8 英寸碳化硅SiC 制程。台湾晶圆制造厂汉磊在今年6 月与旗下子公司嘉晶在SiC、GaN 领域开始加速布建产能，瞄准市场对于第三代半导体的需求，6 寸SiC 晶圆已在试产阶段，客户端对于电动车需求最大。目前其6 英寸SiC、GaN 月产能各约1000 片，明年SiC 产能将大幅提升，GaN 月产能也将扩展至2000 片。由于6 英寸SiC 与GaN 产能满负荷，汉磊首度表态将进入8 英寸SiC 制程，预期8 英寸SiC 基板成本将大幅减少二至三成，进一步扩大运营动能，盈利能力逐步改善。随着全球SiC 芯片龙头厂Wolfspeed 大举扩产，相关产能将大增30 倍，中国台湾地区及中国大陆地区诸多厂商加入第三代半导体行列。

　　我们认为，伴随下游5G、电动汽车等领域的兴起，对于高频、高压、低功耗、快速充电的需求大幅增长。第一、二代半导体材料在温度、功率等特性上已经达到物理极限，第三代半导体材料应运而生。以碳化硅、氮化镓为主的第三代半导体材料可以更好地实现高效、低功耗，未来有望实现大规模应用，市场空间广阔。国内企业中，各大厂商逐步开始第三代半导体布局，未来有望充分受益于下游市场的需求带动。目前全球主流厂商中，4 寸、6 寸是第三代半导体的主流工艺，8 寸工艺的开发目前还存在限制，未来解决技术及成本问题后，第三代半导体在8 寸晶圆中或将实现突破。

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